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未来5年,氮化镓衬底引领LED衬底开展潮流

来源:http://www.cngczxw.com 编辑:d88尊龙 时间:2018/10/08

  未来5年,氮化镓衬底引领LED衬底开展潮流

  在当今日美独占LED芯片核心技能的格式下,我国LED企业怎么打破格式,完结技能攻坚,促进LED开展显得尤为重要。现在,LED衬底类别包含蓝宝石、碳化硅、硅以及被称为第三代半导体资料的氮化镓。

  与传统衬底资料比较,氮化镓具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱满漂移速度高、抗辐射能力强和杰出的化学稳定性等优胜特性,是迄今理论上电光、光电变换功率最高的资料系统。时至今日,氮化镓衬底相对于蓝宝石、碳化硅等衬底的功能优势清楚明了,最大难题在于价格过高。

  厚膜的衬底产品方面:产品有10~50微米的不同标准,常用的是20~30微米。位错密度在107cm~3量级,依据不同的技能参数可分为两种即n型掺杂与半绝缘。n型掺杂首要运用于LED等光电器材,半绝缘首要运用于电力电子、微波器材上。

  自支撑氮化镓(GaN)衬底方面:位错密度在105cm-3量级,依据不同的技能参数分为三种,即n型掺杂、半绝缘与非掺杂。n型氮化镓,首要运用于LED、激光器方面;半绝缘则运用于高功率微波器材或大电流高电压的开关上。非掺杂即高纯度氮化镓,在探测器上的使用较为广泛,要求资料的电子浓度越低越好。纳维非掺杂氮化镓产品,X射线(002)半峰宽为50秒、(102)半峰宽为80秒左右,块体资料的电子迁移率超越1500cmV-1s-1,处于国际前列水平。纳维是国际上可以出产出售氮化镓自支撑晶片的少量几个单位之一。

  HVPE法成长GaN自支撑衬底

  HVPE首要是金属镓、氯化氢、氨气,金属镓和氯化氢发作反响,生成氯化镓,氯化镓在200℃后变成气体,以这个为原资料,进而经过在衬底外表上与氨气反响变成氮化镓。HVPE这种生成办法,在外表的化学饱满度十分高,因而,其成长速度十分快,比MOCVD的成长速度快50~100倍,它一个小时可以成长200~300个微米,可以在短时间内把这个资料变成高质量的氮化镓,这是它的一个特色。

  未来5年,氮化镓的价格将下降10~20倍,4~6寸进入商场

  现在LED盛行的风潮下,氮化镓作为半导体发光二极管使用于LED照明也现已在我国开展得如火如荼。氮化镓衬底上的同质外延与蓝宝石衬底上的异质外延,单从技能角度上讲,异质外延缺点密度比同质外延的氮化镓高出2~3个数量级;氮化镓具有导电的特色,可以做成笔直结构的芯片,尊龙人生就是博旧版,这样,外延片的使用面积比蓝宝石的进步1.5倍;做成笔直结构之后,氮化镓上电流密度可以很高,希望一个氮化镓衬底上的芯片可以抵十个蓝宝石衬底上的芯片。美国的Sorra和日本的NGK现已开端大力开发这类芯片,并获得重要打破,到达相同亮度,氮化镓衬底上制造的LED能耗比传统芯片低一半以上。

  跟着氮化镓的规划量产和价格的下降,以及LED外延技能的不断开展,当将芯片电流密度进步到5~10倍时,氮化镓在LED上运用的优势会比蓝宝石显着许多,这是咱们看好的未来的一个开展方向。估计未来5年,用于LED的氮化镓衬底价格可以降10~20倍,氮化镓衬底在单位流明价格上会获得明显优势。咱们对未来十分有决心。

  未来氮化镓衬底不彻底替代蓝宝石衬底

  蓝宝石衬底依据它共同的优势,以及经过规划出产在未来大幅降低成本的可能性,在未来很长一段时间里将成为LED衬底商场干流。对此,徐总表明认同,在数量规划上,蓝宝石一定是未来一段时期的干流。现在不同衬底技能在细分范畴上开展还不是很充沛。将来氮化镓大规划开展之后也不会彻底替代蓝宝石。

  蓝宝石衬底在对亮度等各方面要求不高时有它的优势。未来通用照明及对发光强度要求光效,光的稳定性等要求十分高的情况下,氮化镓的产品有它的优势。尤其是将LED作为新的光源,不是说简略的红绿蓝景观灯,而用在投影仪上,投射灯、汽车灯、闪光灯等方面,氮化镓衬底有它的绝对优势。

  韩国最初估计,LED液晶电视的需求量十分大,每台LEDTV需求900颗LED,算起来这个需求十分大,可是跟着技能的开展,现在做LED电视实践只需求100颗不到,而不是最初的900颗,这样,需求量差不多缩小了十倍。

  

   LEDLED衬底LED芯片

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