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NS推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

来源:http://www.cngczxw.com 编辑:d88尊龙 时间:2018/09/10

  NS推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

   美国国家半导体公司(National Semiconductor Corp.)(美国纽约证券交易所上市代码:NSM)今日宣告,推出业界首款针对高压电源变换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱动器,与运用分立驱动器的规划比较,其可削减75%的组件数量,并还能缩小多达85%的印刷电路板(PCB)面积。

  砖式电源模块和通讯基础设施设备的规划人员需求以最小的外形尺寸完成更高的成效。与规范金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比较,因为具有较低的导通电阻(Rdson)、栅极电荷(Qg)以及超小的体积,增强型GaN FET能够完成更高的功率和功率密度,可是要牢靠地驱动这类器材也面临着新的严重应战。美国国家半导体的LM5113驱动集成电路化解了这些应战,使电源规划人员能够在各种盛行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。

  为了满意增强型GaN FET严厉的栅极驱动要求,咱们需求多个分立器材和很多的电路以及PCB规划作业。美国国家半导体的LM5113彻底集成的增强型GaN FET驱动器大大削减了电路的数量和PCB的规划作业,并完成了业界最佳的功率密度和功率。

  宜普电源变换公司(Efficient Power Conversion Corporation)的创始人之一兼首席执行官Alex Lidow表明:美国国家半导体的LM5113桥式驱动器有助于规划人员经过简化规划来发挥eGaN FETs的功能。LM5113大大削减了元件数量,与咱们的eGaN FETs合作运用,能够大幅缩小PCB面积,完成更高的功率密度水平,而根据等效MOSFET的规划是做不到这一点的。

  

  LM5113桥式驱动器的技能特色

  美国国家半导体的LM5113是一款针对增强型GaN FET的100V桥式驱动器。该器材选用专有技能,可将高边起浮自举电容电压调理到大约5.25V,以优化驱动增强型GaN功率FET,而不会超越最高栅-源额外电压。LM5113还具有独立的汇/源输出,可完成灵敏的导通强度和关断强度。0.5欧姆的低阻抗下拉途径为低阈值电压增强型GaN功率FET供给了一种快速、牢靠的关断机制,有助于最大极限地进步高频电源规划的功率。LM5113集成了一个高边自举二极管,进一步缩小了PCB面积。LM5113还为高边和低边驱动器供给了独立的逻辑输入,然后能够灵敏运用于各种阻隔式和非阻隔式电源拓扑结构。博天堂app

  封装、价格及供货状况

  美国国家半导体的LM5113选用10引脚4mm × 4mm LLP封装。收购均以1,000颗为单位,单颗价格为1.65美元。现已可供给样品,并将于九月份量产。

  美国国家半导体公司简介

  美国国家半导体是一家位居领导地位的电源办理技能开发商,一向努力为商场供给各种易于运用的模仿集成电路,“C2B”与“O2O”形式渐成LED照明电商干流,并且具有世界级的供应链办理技能及经历,备受业界推重。该公司的高功能模仿产品能够进步体系的动力功率,因而极受客户欢迎。美国国家半导体的公司总部坐落美国加州圣塔克拉拉(Santa Clara),2011 年财年的营业额达 1.52 亿美元。有关美国国家半导体公司的其他材料,可阅读网页www.national.com。

  

   美国国家半导体半桥栅极驱动器

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